مرتبط با درس فیزیک پایه ۲ رشته‌های کارشناسی فیزیک، شیمی و مهندسی بوده و هدف آن آشنایی و کسب مهارت‌های فنی با مفاهیم عملی و روش‌های اندازه‌گیری در زمینه‌های الکتریسیته و مغناطیس ساکن و الکترومغناطیس می‌باشد.

ـ آزمایش جلسه‌ی اول: آشنایی با آوومتر

هدف آزمایش: آشنایی و اندازه‌گیری با آوومتر مکانیکی (عقربه‌ای) ۸Mk۷ و آوومتر رقمی (دیجیتال) VOLTCRAFT ۶۶۰۱

ـ آزمایش جلسه‌ی دوم: تعیین مقاومت مجهول

هدف آزمایش: اندازه‌گیری یک مقاومت مجهول با پنج روش مختلف و مقایسه‌ی آن‌ها

ـ آزمایش جلسه‌ی سوم: بستگی مقاومت یک رسانا با طول و سطح مقطع آن

هدف آزمایش: بررسی عوامل موثر در مقاومت الکتریکی یک رسانا (طول و سطح مقطع) و اندازه‌گیری مقاومت ویژه‌ی نمونه‌ی فلزی

ـ آزمایش جلسه‌ی چهارم: مقاومت درونی باتری و ولت‌سنج

هدف آزمایش: اندازه‌گیری و مقایسه‌ی مقاومت درونی باتری‌های نو و کهنه و اندازه‌گیری مقاومت درونی ولت‌سنج روی پله‌ی ۱۰ ولت جریان مستقیم

ـ آزمایش جلسه‌ی پنجم: خازن

هدف آزمایش: مطالعه‌ی پر شدن و خالی شدن خازن (اندازه‌گیری ظرفیت خازن به کمک مدارهای پر شدن و خالی شدن) و تحقیق قوانین ترکیب خازن‌ها (اندازه‌گیری ظرفیت معادل خازن‌های سری و موازی)

ـ آزمایش جلسه‌ی ششم: آشنایی با اسیلوسکوپ

هدف آزمایش: آشنایی با ساختار و طرز کار اسیلوسکوپ GOS-۶۲۰‌، اندازه‌گیری اختلاف پتانسیل و بسامد به کمک آن، مقایسه‌ی اسیلوسکوپ با آوومتر مکانیکی و مشاهده‌ی اشکال لیساژوس

ـ آزمایش جلسه‌ی هفتم: کاربردهایی از اسیلوسکوپ

هدف آزمایش: اندازه‌گیری اختلاف فاز بین ولتاژ منبع و جریان مدار R-C به کمک اسیلوسکوپ؛ مشاهده‌‌ی منحنی پر و خالی شدن خازن روی اسیلوسکوپ و محاسبه‌ی ظرفیت خازن توسط آن منحنی

ـ آزمایش جلسه‌ی هشتم: بررسی و اندازه‌گیری نیروی محرکه القایی و مطالعه‌ی مبدل‌ها

هدف آزمایش: مطالعه‌ی قانون القای فاراده و قانون لنز؛ آشنایی با مبدل‌ها (ترانسفورماتورها)

ـ آزمایش جلسه‌ی نهم: بررسی قوانین کیرشهوف در مدارهای R-R (مقاومت‌های سری و موازی)

هدف آزمایش: تحقیق قوانین ولتاژ و جریان کیرشهوف KVL) و (KCL و اندازه‌گیری مقاومت معادل در مدارهای R-R سری و موازی

ـ آزمایش جلسه‌ی دهم: مدارهای R-C و R-L

هدف آزمایش: تحقیق قوانین کیرشهوف در مدارهای غیراهمی R-C و R-L و اندازه‌گیری پاگیری (مقاومت ظاهری) مدار و اختلاف فاز میان جریان مدار و ولتاژ منبع در این مدارها

ـ آزمایش جلسه‌ی یازدهم: مدار R-C-L

هدف آزمایش: تحقیق قوانین کیرشهوف در مدارهای R-C-L سری، اندازه‌گیری مقاومت ظاهری مدار و اختلاف فاز میان جریان مدار و ولتاژ منبع؛ تعیین بسامد بازآوایی (تشدید) و رسم منحنی پاسخ مدار R-C-L و مطالعه‌ی بستگی محل قله‌ و پهنای منحنی به عناصر مدار